图为此次参与比较实验的样品。 中新财经记者 谢艺观 摄
近半数样品阻燃能力不佳
充电数据线大功率使用时,一旦出现异常,无论是自身过热导致自燃成为引燃源,或是靠近起火物品成为助燃源,甚至是其自身在燃烧过程中产生熔融滴落物进而引发其他物品起火,都会给人身财产安全带来危害。
比较试验结果显示,所有样品在试验前均满足耐压和绝缘电阻要求,但近半数样品阻燃能力不佳,特别是编织线外皮更易降低阻燃性。阻燃性能测试中失败的样品涉及品胜、小米等品牌。
截图自中消协报告。26%的样品压降测试结果不理想
电压下降越大说明电能损失越多,充电速率越低,甚至还会导致数据线发热,造成安全隐患。
比较试验结果显示,26%的样品压降测试结果不理想。46款样品中,有34款样品的压降低于750毫伏,有12款样品压降高于750毫伏,其中7款压降高于1000毫伏,售价仅2.14元标称品牌为“安科优/泰拉锋”的数据线最大压降高达2310毫伏。
截图自中消协报告。8款样品接口插拔性能表现不佳
在日常使用中,由于充电数据线与手机等移动通信终端接口插拔较频繁,容易出现接口损坏的情况,导致充电失效或其他安全问题。
比较试验结果显示,80%以上的样品通过了插拔测试,表现良好,且在测试后还能够正常使用且符合耐压和绝缘要求。
但有5款样品拔出力超限(数据线接口拨出力应该保持在一定的数值范围内,否则就导致接口过紧或过松,过紧易将移动设备损坏,过松易导致接触不良或短路),涉及标称品牌为安克(型号A8432)、TAFIQ(型号TFK001)、倍思(型号CAMRD-B01)、绿联(型号US155)、欧莱森(型号MS-PD020)等样品。
插拔试验之后,还有3款样品未通过耐压测试验证,说明性能受损不能正常使用,插拔耐久性不佳。涉及标称品牌为vivo(型号BK-C-19)、品胜(型号TC-FC-1000)、CHIJIE(型号HWSJX01)等3款样品。
截图自中消协报告。21款样品耐腐蚀性能较弱
充电数据线长期暴露在空气中,若金属裸露部分耐腐蚀性能差,可能因锈蚀引起导电通路断开,充电线失灵,也可能由于引脚锈蚀造成电阻过大,进而诱发充电过程中充电接口过热,存在烧毁接口等隐患。
中消协称,经24小时盐雾试验后发现,有25款样品的盐雾性能表现良好,具有较好的耐腐蚀性能;有16款样品出现不同程度的锈蚀,其中某无品牌样品因盐雾腐蚀出现护套脱落;有2款样品丧失充电功能。盐雾试验后,有2款样品未通过耐压测试验证,有1款样品未通过绝缘电阻测试验证。
截图自中消协报告。9款样品抗弯曲性能较差
日常使用中,充电数据线与手机等移动通信终端连接的部分经常弯折,容易出现线缆绝缘外皮破损或接口损坏的情况,导致充电失效或其他安全问题。
在抗弯曲试验中,有9款样品没有通过抗弯曲试验,其中有5款样品在试验完成后,充电功能失效,某无品牌样品充电接头已经完全断裂脱落;还有4款样品在抗弯曲试验后,未通过耐压测试验证。
截图自中消协报告。13款样品端口受压变形
充电数据线端口处遭受意外按压等应力时容易出现断裂。
经测试,有33款样品施力后没有变形,可正常使用。其余13款均发生变形,其中11款样品在推力施加的过程中,接口出现过度弯折现象。其中,标称品牌为品胜(型号TC-FC-1000)的样品,试验中接头完全脱落。标称品牌为安克(型号A8622)的样品,试验后充电功能失效。
截图自中消协报告。充电数据线行业执行标准各自为政
中消协表示,通过本次比较试验和相关市场调查,发现目前充电数据线行业存在产品标识不全、执行标准各自为政等典型问题。“样品明示的标准,绝大多数为企业标准,少数为已过时效期的行业标准,或与数据线产品无相关性的安全标准。”
中消协也强调,比较试验仅对测试样品进行性能优劣的比较,不做合格与否的判定。比较试验结果仅对样品负责,不代表同品牌不同型号、不同批次产品的性能状况。
对于企业/品牌所有人不认可为该品牌产品的第5号及第23号样品,中消协称,已通知平台追溯产品来源,希望平台尽快确认产品真伪,并对确实售卖假冒产品的商家进行清理。(完)
加快实现高水平科技自立自强****** 作者:彭绪庶(中国社会科学院习近平新时代中国特色社会主义思想研究中心研究员、数量经济与技术研究所信息化与网络经济研究室主任) 党的二十大报告提出,“坚持面向世界科技前沿、面向经济主战场、面向国家重大需求、面向人民生命健康,加快实现高水平科技自立自强”。科技自立自强是提升供给体系质量、保障产业链供应链安全的关键,能够为构建新发展格局、实现高质量发展提供战略支撑。目前,我国已经成为具有重要影响力的科技大国。到2035年,我国发展的总体目标包括“实现高水平科技自立自强,进入创新型国家前列”。 总体来看,我国实现高水平科技自立自强的条件基本具备。首先,我们党高度重视科技事业,为实现高水平科技自立自强提供了坚强保障。进入新时代,我们党坚持实施创新驱动发展战略、把科技自立自强作为国家发展的战略支撑。习近平总书记强调,立足新发展阶段、贯彻新发展理念、构建新发展格局、推动高质量发展,必须深入实施科教兴国战略、人才强国战略、创新驱动发展战略,完善国家创新体系,加快建设科技强国,实现高水平科技自立自强。其次,增加科技投入和加强基础设施建设,为实现高水平科技自立自强奠定了坚实物质基础。我国研发投入规模和投入强度连续多年保持稳定增长,科技人才质量稳步提升,重大科技基础设施布局建设不断推进。再次,科技创新实现突破性进展,为实现高水平科技自立自强奠定了坚实技术基础。近年来,我国科学论文数量和质量不断提高,基础研究、前沿研究和关键核心技术攻关能力取得巨大进步,知识创新和技术创新影响力均已跃居国际前列。 但还要看到,加快实现高水平科技自立自强,仍然面临诸多问题和挑战。如,研发投入规模总量不足,基础研究和企业支出占比较低,基础研究和原创性重大创新成果战略支撑作用不强,等等。 立足新发展阶段,需要制定更精准、更有效的政策措施,完善体制机制,探索有效路径,加快实现高水平科技自立自强。 其一,完善战略性、全局性和系统性创新布局。实现高水平科技自立自强是长期目标,不可能一蹴而就,也难以靠短期突击实现。要加快在“卡脖子”领域补齐短板,在并跑、领跑和优势领域锻造长板,坚持关键技术攻关和基础研究并重。既要立足当前,着力攻关和破解制约发展的“卡脖子”技术等紧迫问题,也要着眼长远,找准发挥新型举国体制优势实现更多重大突破的路径,加强基础科学和前沿科技等“无人区”领域创新顶层设计,探索建立需求导向型创新、任务目标型创新和兴趣导向型创新相结合的创新模式。 其二,为科技攻关提供组织保障和人才保障。实现高水平科技自立自强,不仅要啃下“卡脖子”技术等硬骨头,还必须在颠覆性技术领域走在国际前列。这就必须要有适应科技发展趋势的国家重点实验室、综合性国家科学中心、国家高端智库,以及高水平新型研究型大学和科技领军企业。要强化国家战略科技力量,完善空间布局,加强投入和领军人才队伍建设,提高重大科技任务的攻坚能力。 其三,在科技体制改革“深水区”加力攻坚。改革是点燃科技创新引擎的点火系。解决研发经费投入和执行结构不合理、效益不佳等问题,完善科技成果和科技人才评价制度,强化企业创新主体地位,都需要在制度安排、政策保障、环境营造等方面下真功夫。只有通过深化体制改革,完善科技自立自强的制度保障,才能真正形成科技创新和制度创新“双轮驱动”效应。 其四,加强创新链产业链融合发展。要消除基础研究与应用脱节、科研与经济“两张皮”现象,提高科技创新质量和效率。既要重视科技成果转化,打通从科学研究到开发研究再到应用的链条,同时也要强化需求导向和市场导向,围绕产业链布局创新链,让市场在创新资源配置中起决定性作用,促进产业链上下游、大中小企业等的深度融合,形成科技创新合力。 其五,加强国际科技合作。开放创新是当今科技创新的趋势和实现高水平科技自立自强的必然选择。一方面,要发挥我国产业体系健全完备、供应链保障水平高的优势,深化供给侧结构性改革,发挥超大规模市场优势,形成对全球要素资源的强大吸引力。另一方面,也要主动“走出去”,积极参与全球科技创新治理,全方位、多角度探索国际科技合作新路径新模式。 (文图:赵筱尘 巫邓炎) [责编:天天中] 阅读剩余全文() |